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蓝宝石生产和用途
双击自动滚屏 发布者:zq1229 发布时间:2012/4/18 0:00:40 阅读:18925次 【字体:
 
蓝宝石生产和用途
蓝宝石晶体是第三代半导体材料GaN外延层生长最好的衬底材料之一,其单晶制备工艺成熟,蓝宝石为六方晶格结构,很多特性便是由其晶向决定的。通过外延晶膜生长,不同的晶向将呈现不同的晶格与目标材料匹配。
蓝宝石(Sapphire)是一种氧化铝(α-Al2O3)的单晶,蓝宝石单晶(英文名Sapphire,又称白宝石或刚玉)LED是发光二极管的英文缩写(Light emitting diode)
蓝宝石是一种简单的配位型氧化物晶体,也是一种优秀的多功能材料,具有一系列独特的物理化学性能。它的介电常数小、介质损耗低,具有良好的电绝缘性;耐各种射线能力强,特别是在0.15μm~5.5μm波段具有良好的透过率。
LED是发光二极管的英文缩写(Light emitting diode),外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石、SiC、Si)上,气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。
MOCVD: 金属有机物化学气相淀积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,简称MOCVD),1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体,是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备,主要用于GaN(氮化镓)系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造,也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。
蓝宝石晶体是第三代半导体材料GaN外延层生长最好的衬底材料之一,其单晶制备工艺成熟。GaN为蓝光LED制作基材。
蓝宝石
晶体结构相同(六方对称的纤锌矿晶体结构),与GaN晶格失配度大,达到13%,易导致GaN外延层高位错密度(108—109/cm2)。为此,在蓝宝石衬底上AlN或低温GaN外延层或SiO2层等,先进方法可使GaN外延层位错密度达到106/cm2水平。
蓝宝石、GaN的品质对光致发光的影响
蓝宝石单晶生长技术复杂,获得低杂质、低位错、低缺陷的单晶比较困难。蓝宝石单晶质量对GaN外延层的质量有直接的影响,其杂质和缺陷会影响GaN外延层质量,从而影响器件质量(发光效率、漏电极、寿命等)。
蓝宝石单晶的位错密度一般为104/cm2数量级,它对GaN外延层位错密度(108—109/cm2)影响不大。
蓝宝石LED芯片的制造工艺流程:
外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。
外延片的生产制作过程是在展完外延片后,开始对LED外延片做电极(P极,N极),接着就开始用激光机切割LED外延片(以前切割LED外延片主要用钻石刀),制造成芯片后,在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试,
1、 主要对电压、波长、亮度进行测试,能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步的操作,如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片,就放在一边另外处理。
2、 晶圆切割成芯片后,100%的目检(VI/VC),操作者要使用放大30倍数的显微镜下进行目测。
3、 接着使用全自动分类机根据不同的电压,波长,亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分类。
4、最后对LED芯片进行检查(VC)和贴标签。芯片区域要在蓝膜的中心,蓝膜上最多有5000粒芯片,但必须保证每张蓝膜上芯片的数量不得少于1000粒,芯片类型、批号、数量和光电测量统计数据记录在标签上,附在蜡光纸的背面。蓝膜上的芯片将做最后的目检控制与第一次目检标准相同,确保芯片排列整齐和质量合格。这样就制成LED芯片。
 
蓝宝石生产
蓝宝石生产方法
焰熔法Verneuil (flame fusion) 
最早是1885年由弗雷米(E. Fremy)、弗尔(E. Feil)和乌泽(Wyse)一起,利用氢氧火焰熔化天然的红宝石粉末与重铬酸钾而制成了当时轰动一时的“ 日内瓦红宝石”。后来于1902年弗雷米的助手法国的化学家维尔纳叶(Verneuil)改进并发展这一技术使之能进行商业化生产。,这种方法又被称为维尔纳叶法。
1)基本原理
   焰熔法是从熔体中生长单晶体的方法。其原料的粉末在通过高温的氢氧火焰后熔 化,熔滴在下落过程中冷却并在种晶上固结逐渐生长形成晶体。
2)合成装置与条件、过程
   焰熔法的粗略的说是利用氢及氧气在燃烧过程中产生高温,使一种疏松的原料粉末通过氢氧焰撒下焰融,并落在一个冷却的结晶杆上结成单晶。下图是焰熔生长原料及设备简图。这个方法可以简述如下。图中锤打机构的小锤7按一定频率敲打料筒,产生振动,使料筒中疏松的粉料不断通过筛网6,同时,由进气口送进的氧气,也帮助往下送粉料。
氢经入口流进,在喷口和氧气一起混合燃烧。粉料在经过高温火焰被熔融而落在一个温度较低的结晶杆2上结成晶体了。炉体4设有观察窗。可由望远镜8观看结晶状况。为保持晶体的结晶层在炉内先后维持同一水平,在生长较长晶体的结晶过程中,同时设置下降机构1,把结晶杆2缓缓下移。
焰熔法合成装置由供料系统、燃烧系统和生长系统组成,合成过程是在维尔纳叶炉中进行的。
A.供料系统
    原料:成分因合成品的不同而变化。原料的粉末经过充分拌匀,放入料筒。如果合成红宝石,则需要Al2O3粉末和少量的 Cr2O3参杂,Cr2O3用作致色剂,添加量为 1-3%。三氧化二铝可由铝铵矾加热获得。    料筒:圆筒,用来装原料,底部有筛孔。料筒中部贯通有一根震动装置使粉末少量、等量、周期性地从筛孔漏出。
    震荡器:驱动震动棒震动,使料筒不断抖动,以便原料的粉末能从筛孔漏出。
B.燃烧系统
    氧气管:从料筒一侧释放,与原料粉末一同下降;
    氢气管:在火焰上方喷嘴处与氧气混合燃烧。通过控制管内流量来控制氢氧比例,O2:H2=1:3;氢氧燃烧温度为2500℃,Al2O3粉末的熔点为2050℃;每生产1kg的晶块料需要耗损200立方的氢气
    冷却套:吹管至喷嘴处有一冷却水套,使氢气和氧气处于正常供气状态,保证火焰以上的氧管不被熔化
C.生长系统
   落下的粉末经过氢氧火焰熔融,并落在旋转平台上的种晶棒上,逐渐长成一个晶棒(梨晶)。水套下为一耐火砖围砌的保温炉,保持燃烧温度及晶体生长温度,近上部有一个观察孔,可了解晶体生长情况。耐火砖的作用是保持炉腔的温度,使之缓慢下降,以便结晶生长。
   旋转平台:安置种晶棒,边旋转、边下降;落下的熔滴与种晶棒接触称为接晶;接晶后通过控制旋转平台扩大晶种的生长直径,称为扩肩;然后,旋转平台以均匀的速度边旋转边下降,使晶体得以等径生长。
泡生法 Kyropoulos
这种方法是将一根受冷的籽晶与熔体接触,如果界面的温度低于凝固点,则籽晶开始生长,为了使晶体不断长大,就需要逐渐降低熔体的温度,同时旋转晶体,以改善熔体的温度分布。也可以缓慢的(或分阶段的)上提晶体,以扩大散热面。晶体在生长过程中或生长结束时不与坩埚壁接触,这就大大减少了晶体的应力。不过,当晶体与剩余的熔体脱离时,通常会产生较大的热冲击。生长装置如下图所示。可以认为目前常用的高温溶液顶部籽晶法是该方法的改良和发展。
采用泡生法生长大直径、高质量、无色蓝宝石晶体的具体工艺如下:
1.将纯净的G-A1 O。原料装入坩埚中。坩埚上方装有可旋转和升降的提拉杆,杆的下端有一个籽晶夹具,在其上装有一粒定向的无色蓝宝石籽晶(注:生长无色蓝宝石时不添加致色剂,籽晶也采用无色蓝宝石);
2.将坩埚加热到2050℃以上,降低提拉杆,使籽晶插入熔体中;
3.控制熔体的温度,使液面温度略高于熔点,熔去少量籽晶以保证晶体能在清洁的籽晶表面上生长;
4.在实现籽晶与熔体充分沾润后,使液面温度处于熔点,缓慢向上提拉和转动籽晶杆;控制拉速和转速,籽晶逐渐长大;
5.小心地调节加热功率,使液面温度等于熔点,实现宝石晶体生长的缩颈——扩肩——等径生长——收尾全过程。
整个晶体生长装置安放在一个外罩内,以便抽真空后充入惰性气体,保持生长环境中需要的气体和压强。通过外罩上的窗口观察晶体的生长情况,随时调节温度,保证生长过程正常进行。
温度梯度法 Temperature gradient technique (TGT)
 “导向温梯法”是以定向籽晶诱导的熔体单结晶方法。包括放置在简单钟罩式真空电阻炉内的坩埚、发热体和屏蔽装置,右图是装置简图。本装置采用镅坩埚、石墨发热体。坩埚底部中心有一籽晶槽,避免耔晶在化料时被熔化掉。为了增加坩埚稳定性,籽晶槽固定在定位棒的圆形凹槽内。温场由石墨发热体和冷却装置共同提供。发热体为被上下槽割成矩形波状的板条通电回路的圆筒,整个圆筒安装在与水冷电极相连的石墨电极板上。板条上半部按一定规律打孔,以调节发热电阻使其通电后白上而下造成近乎线性温差。而发热体下半部温差通过石墨发热体与水冷电极板的传导来创造。籽晶附近的温场还要依靠与水冷坩埚杆的热传导共同提供。
本方法与提拉法相比,有以下特点:
(1)晶体生长时温度梯度与重力方向相反,并且坩埚、晶体和发热体都不移动,这就避免了热对流和机械运动产生的熔体涡流。
(2)晶体生长以后,由熔体包围,仍处于热区。这样就可以控制它的冷却速度,减少热应力。而热应力是产生晶体裂纹和位错的主要因素。
(3)晶体生长时,固—液界面处于熔体包围之中。这样熔体表面的温度扰动和机械扰动在到达固—液界面以前可被熔体减小以致消除。这对生长高质量的晶体起很重要的作用。
提拉法Czochralski(CZ)
       该方法的创始人是Czochralski,他的论文发表于1918年。这是熔体生长最常用的方法之一。很多重要的实用晶体是用这种方法制备的,近年来这种方法又取得了几项重大的改进,能够顺利地生长某些易挥发的化合物(如GaP和含Pb的化合物)和特殊形状的晶体(如八边形、长4.5m的硅管、漏斗形等各种复杂形状的蓝宝石晶体、带状硅和氧化物晶体)。
提拉法
提拉法的设备简图如右图所示。将预先合成好的多晶原料装在坩埚中,并被加热到原料的熔点以上,此时,坩埚内的原料就熔化为熔体,在坩埚的上方有一根可以旋转和升降的提拉杆,杆的下端带有一个夹头,其上装有籽晶。降低提拉杆,使籽晶插入熔体中,只要温度合适,籽晶既不熔掉也不长大,然后慢慢地向上提拉和转动晶杆。同时,缓慢地降低加热功率,籽晶就逐渐长粗,小心地调节加热功率,就能得到所需直径的晶体。整个生长装置安放在一个可以封闭的外罩里,以便使生长环境中有所需要的气氛和压强。通过外罩的窗口,可以观察到生长的情况。用这种方法已经成功地长出了半导体、氧化物和其他绝缘类型的大晶体。
       这种方法的主要优点如下:
(1)   在生长的过程中可以方便地观察晶体的生长情况。
       (2)   晶体在熔体表面处生长,而不与坩埚相接触,这样能显著地减小晶体的应以,并放置埚壁的寄生成核。
       (3)   可以方便地使用定向籽晶和“缩颈”工艺。缩颈后面的籽晶,其位错可大大减少,这样可以使放大后生长出来的晶体,其位错密度降低。
       总之,提拉法生长的晶体,其完整性很高,而生长率和晶体尺寸也是令人满意的。例如,提拉法生长的红宝石与焰熔法生长的红宝石相比,具有较低的位错密度,较高的光学均匀性,也不存在锒嵌结构。
连续加料提拉法
       提拉法生长晶体中,另一重要的改进就是连续加料提拉法的应用。该法首先被Ya.Apilat和Yu.P.Belogurov等所应用。右图所示是该种设备的简易示意图,通过坩埚内一个高灵敏度的熔体液面规来控制熔体的温度和晶体直径。在坩埚内,一边提拉晶体,一边补充所消耗的原料。具体过程如下:通过导管将原料m引入圆形槽1中,在那里熔融后,流入坩埚2内,坩埚被安放在可旋转的支撑环3上,支撑环3和晶体9可同步旋转,以保证在生长过程中熔体的轴向温场的对称性。由于晶体的直径很大,而晶体和埚壁之间的距离很小,因此,晶体直径的微笑变化(生长界面的高度也相应变化)将引起液面高度的明显变化。一个带有铂探针5的熔体液面规4能根据液面高度的微笑改变,通过补偿电路6而相应地调节坩埚的附加点源,是液面的高度保持恒定,以保证晶体的生长重量与补加原料的重量始终相等,从而达到自动控制晶体直径的目的。由于在生长过程中,坩埚内不断地有原料补充,从而使所需要提拉晶体的尺寸不受坩埚内物料的限制,晶体的尺寸可以长大。
冷心放肩微量提拉法(SAPMAC)
冷心放肩微量提拉法(Sapphire growth technique with micro-pulling and shoulder expanding at cooled center,SAPMAC)是在对泡生法和提拉法改进的基础上发展而来用于生长大尺寸蓝宝石晶体的方法,晶体生长系统主要包括控制系统、真空系统、加热体、冷却系统和热蔽装置等,右图是晶体生长系统简图。该方法生长的单晶,外型通常为梨形,晶体直径可以生长到比坩埚内径小l0~20mm的尺寸。籽晶被加工成劈形,利用籽晶夹固定在热交换器底部。热交换器可以完成籽晶的固定、晶体的转动和提拉,以及热交换器、晶体和熔体之间热量的交换作用。加热体、冷却系统和热屏蔽装置协同作用,为晶体生长提供一个均匀、稳定、可控的温场。根据晶体生长所处的引晶、放肩、等径和退火及冷却阶段的特点,通过调节热交换器中工作流体的温度、流量,加热温度(加热体所能提供的坩埚外壁环境温度)可以精确控制晶体和熔体内温度梯度、热量传输、完成晶体生长。
冷心放肩微量提拉法生长蓝宝石晶体时,通常可将整个晶体生长过程分为四个控制阶段,即引晶、放肩、等径、退火及冷却阶段。引晶与放肩阶段主要是利用调节热交换器散热能力,适当配合一定的降低加热温度(加热系统所能提供的坩埚外壁温度)的方式来实现对晶体的缩颈和放肩控制。此时晶体生长界面凸出率及温度梯度较大,其有利于采用较大的放肩角,减小放肩距离,防止界面翻转,同时能够将籽晶内的位错等原有缺陷快速从晶体中扩散到晶体表面,有效降低晶体内的缺陷含量。较大的界面温度梯度还能够提高晶体生长驱动力,增加
界面稳定性。待晶体直径长到所需尺寸(冷心放肩微量提拉法晶体直径可以长到距坩埚内壁1~3cm)后,晶体开始等径生长,进入等径阶段。随着晶体尺寸的长大,热交换器的散热对晶体生长效率迅速减小,故晶体进入等径生长阶段后,主要是通过降低加热温度(加热系统所能提供的坩埚外壁温度)来实现晶体生长。
该方法主要特点:
1)通过冷心放肩,保证了大尺寸晶体生长,整个结品过程晶向遗传特性良好,材料品质优良。
2)通过高精度的能量控制配合微量提拉,使得在整个晶体生长过程中无明显的热扰动,缺陷萌生的几率较其他方法明显降低。
3)由于只是微量提拉,减少了温场扰动。使温场更均匀,从而保证单晶生长的成功率。
4)在整个晶体生长过程中,晶体不被提出坩埚,仍处于热区。可以精确控制它的冷却速度,减少热应力。
5)适合生长大尺寸晶体,材料综合利用率是泡生法的1.2倍以上。
6)选用水作为热交换器内的工作流体,晶体可以实现原位退火,较其他方法试验周期短、成本低。
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